|
Typ tranzistora
|
P-MOSFET | |
|
Polarizácia
|
unipolárny | |
|
Napätie drain-source
|
-30V | |
|
Prúd drainu
|
-4,6A | |
|
Rozptýlenie energie
|
2,5W | |
|
Puzdro
|
SO8 | |
|
Napätie gate-source
|
±20V | |
|
Odpor v zopnutom stave
|
70mΩ | |
|
Montáž
|
SMD | |
|
Náboj hradla
|
24nC | |
|
Druh balenia
|
páska, rolka | |
|
Druh kanálu
|
obohatený |